SiC-Coated Crystal Growth Susceptor

ດ້ວຍຈຸດລະລາຍສູງ, ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງ, ແລະການຕໍ່ຕ້ານການກັດກ່ອນ, Semicorex SiC-Coated Crystal Growth Susceptor ແມ່ນທາງເລືອກທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນການນໍາໃຊ້ການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຜລຶກດຽວ. ການເຄືອບ silicon carbide ຂອງມັນໃຫ້ຄວາມຮາບພຽງດີເລີດແລະການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນທາງເລືອກທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

The Semicorex SiC-Coated Crystal Growth Susceptor ແມ່ນທາງເລືອກທີ່ສົມບູນແບບສໍາລັບການສ້າງຊັ້ນ epitaxial ເທິງ wafers semiconductor, ຍ້ອນການນໍາຄວາມຮ້ອນພິເສດແລະຄຸນສົມບັດການແຜ່ກະຈາຍຄວາມຮ້ອນຂອງມັນ. ການເຄືອບ SiC ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງຂອງມັນໃຫ້ການປົກປ້ອງທີ່ເຫນືອກວ່າເຖິງແມ່ນວ່າໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງແລະ corrosive ທີ່ຕ້ອງການທີ່ສຸດ.
SiC-Coated Crystal Growth Susceptor ຂອງພວກເຮົາຖືກອອກແບບມາເພື່ອບັນລຸຮູບແບບການໄຫຼຂອງອາຍແກັສ laminar ທີ່ດີທີ່ສຸດ, ຮັບປະກັນຄວາມສະເຫມີພາບຂອງໂປຣໄຟລ໌ຄວາມຮ້ອນ. ນີ້ຊ່ວຍປ້ອງກັນການປົນເປື້ອນຫຼືການແຜ່ກະຈາຍຂອງ impurities, ຮັບປະກັນການເຕີບໂຕຂອງ epitaxial ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງໃນຊິບ wafer.
ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາໃນມື້ນີ້ເພື່ອຮຽນຮູ້ເພີ່ມເຕີມກ່ຽວກັບ SiC-Coated Crystal Growth Susceptor ຂອງພວກເຮົາ.

ພາລາມິເຕີຂອງ SiC-Coated Crystal Growth Susceptor

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຕົ້ນຕໍຂອງການເຄືອບ CVD-SIC
ຄຸນສົມບັດ SiC-CVD
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ	ໄລຍະ FCC β
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ	g/ຊມ ³	3.21
ຄວາມແຂງ	ຄວາມແຂງຂອງ Vickers	2500
ຂະໜາດເມັດພືດ	ມມ	2~10
ຄວາມບໍລິສຸດທາງເຄມີ	%	99.99995
ຄວາມອາດສາມາດຄວາມຮ້ອນ	J kg-1 K-1	640
ອຸນຫະພູມ sublimation	℃	2700
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Felexural	MPa (RT 4 ຈຸດ)	415
ໂມດູລຂອງໜຸ່ມ	Gpa (4pt ງໍ, 1300℃)	430
ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ	(W/mK)	300

ຄຸນນະສົມບັດຂອງ SiC-Coated Crystal Growth Susceptor

- ທັງຊັ້ນຍ່ອຍ graphite ແລະຊັ້ນ silicon carbide ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນທີ່ດີແລະສາມາດມີບົດບາດປ້ອງກັນທີ່ດີໃນອຸນຫະພູມສູງແລະສະພາບແວດລ້ອມການເຮັດວຽກທີ່ກັດກ່ອນ.

- susceptor ເຄືອບ Silicon carbide ໃຊ້ສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນດຽວມີຄວາມຮາບພຽງຢູ່ດ້ານສູງຫຼາຍ.

- ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມແຕກຕ່າງຂອງຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນລະຫວ່າງຊັ້ນຍ່ອຍ graphite ແລະຊັ້ນ silicon carbide, ປະສິດທິຜົນປັບປຸງຄວາມເຂັ້ມແຂງຂອງພັນທະບັດເພື່ອປ້ອງກັນການແຕກແລະ delamination.

- ທັງຊັ້ນຍ່ອຍ graphite ແລະຊັ້ນ silicon carbide ມີ conductivity ຄວາມຮ້ອນສູງ, ແລະຄຸນສົມບັດການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ.

- ຈຸດ melting ສູງ, ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງຂອງອຸນຫະພູມສູງ, ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion.