SiC ICP Etching Plate

Semicorex SiC ICP Etching Plate ຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງອຸດສາຫະກໍາໂດຍການສະຫນອງຄວາມຮ້ອນພິເສດ, ຄວາມແຂງທີ່ເຫນືອກວ່າ, ແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີທີ່ໂດດເດັ່ນ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນທາງເລືອກທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການຜະລິດ semiconductor ກ້າວຫນ້າ.

Silicon Carbide ແມ່ນມີຊື່ສຽງສໍາລັບການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ພິເສດຂອງມັນ, ເປັນຄຸນລັກສະນະທີ່ສໍາຄັນໃນການຜະລິດ semiconductor. ຄຸນສົມບັດນີ້ອະນຸຍາດໃຫ້ແຜ່ນເຫຼັກ SiC ICP ກະຈາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ຜະລິດໃນລະຫວ່າງຂະບວນການແກະສະຫຼັກຢ່າງມີປະສິດທິພາບ, ຮັກສາອຸນຫະພູມການເຮັດວຽກທີ່ດີທີ່ສຸດ. ໂດຍການຄຸ້ມຄອງຄວາມຮ້ອນຢ່າງມີປະສິດທິພາບ, ແຜ່ນເຫຼັກ SiC ICP ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການເກີດຄວາມຮ້ອນເກີນ, ຮັບປະກັນການປະຕິບັດທີ່ສອດຄ່ອງແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖື, ເຖິງແມ່ນວ່າໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ມີພະລັງງານສູງ. ການຈັດການຄວາມຮ້ອນນີ້ເປັນສິ່ງຈໍາເປັນສໍາລັບການຮັກສາຄວາມສົມບູນຂອງຂະບວນການ etching ແລະບັນລຸຜົນໄດ້ຮັບທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ.

ຄຸນນະສົມບັດທີ່ໂດດເດັ່ນອີກອັນຫນຶ່ງຂອງແຜ່ນ ICP Etching Plate ແມ່ນຄວາມແຂງແລະທົນທານຕໍ່ການສວມໃສ່. ເປັນຫນຶ່ງໃນວັດສະດຸທີ່ຍາກທີ່ສຸດທີ່ມີຢູ່, Silicon Carbide ສະແດງໃຫ້ເຫັນຄວາມຕ້ານທານພິເສດຕໍ່ການຂັດແລະການສວມໃສ່ກົນຈັກ. ລັກສະນະນີ້ແມ່ນມີຄຸນຄ່າໂດຍສະເພາະໃນສະພາບແວດລ້ອມ etching plasma, ບ່ອນທີ່ແຜ່ນ etching ໄດ້ຖືກສໍາຜັດກັບສະພາບທາງເຄມີແລະທາງດ້ານຮ່າງກາຍທີ່ຮຸກຮານ. ຄວາມທົນທານຂອງ SiC ICP Etching Plate ແປວ່າມີຊີວິດການບໍລິການທີ່ຍາວກວ່າ, ຫຼຸດລົງເວລາຢຸດ, ແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການບໍາລຸງຮັກສາຕ່ໍາ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນການແກ້ໄຂຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການຜະລິດທີ່ມີປະລິມານສູງ.

ນອກເຫນືອໄປຈາກຄຸນສົມບັດຄວາມຮ້ອນແລະກົນຈັກຂອງມັນ, ແຜ່ນ SiC ICP Etching Plate ສະຫນອງຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີທີ່ດີເລີດ. Silicon Carbide ມີຄວາມທົນທານສູງຕໍ່ການກັດກ່ອນແລະການໂຈມຕີທາງເຄມີ, ຮັບປະກັນວ່າມັນຮັກສາຄວາມສົມບູນຂອງໂຄງສ້າງແລະການປະຕິບັດເຖິງແມ່ນວ່າໃນສະພາບແວດລ້ອມທາງເຄມີທີ່ຮຸນແຮງ. ການຕໍ່ຕ້ານການເຊື່ອມໂຊມຂອງສານເຄມີນີ້ແມ່ນສໍາຄັນຕໍ່ການຮັກສາຄວາມແມ່ນຍໍາແລະຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງຂະບວນການ etching, ເນື່ອງຈາກວ່າການປະນີປະນອມໃດໆໃນຄວາມສົມບູນຂອງແຜ່ນ etching ສາມາດນໍາໄປສູ່ຄວາມບົກຜ່ອງຂອງອຸປະກອນ semiconductor ກໍາລັງຜະລິດ.