ແຜ່ນ ICP SiC

ແຜ່ນ Semicorex SiC ICP ເປັນອົງປະກອບ semiconductor ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານວິສະວະກໍາໂດຍສະເພາະເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການທີ່ເຂັ້ມງວດຂອງຂະບວນການຜະລິດ semiconductor ທີ່ທັນສະໄຫມ. ຜະລິດຕະພັນທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງນີ້ຖືກອອກແບບມາດ້ວຍເຕັກໂນໂລຢີວັດສະດຸຊິລິຄອນຄາໄບ (SiC) ຫລ້າສຸດ, ສະຫນອງຄວາມທົນທານ, ປະສິດທິພາບແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືທີ່ບໍ່ສາມາດປຽບທຽບໄດ້, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນໃນການຜະລິດອຸປະກອນ semiconductor ທີ່ທັນສະໄຫມ. Semicorex ມຸ່ງຫມັ້ນທີ່ຈະສະຫນອງຜະລິດຕະພັນທີ່ມີຄຸນນະພາບໃນລາຄາທີ່ແຂ່ງຂັນ, ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະກາຍເປັນຄູ່ຮ່ວມງານໄລຍະຍາວຂອງທ່ານໃນປະເທດຈີນ *.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ແຜ່ນ ICP Semicorex SiC ແມ່ນຜະລິດໂດຍ Silicon carbide, ເປັນທີ່ຮູ້ຈັກສໍາລັບຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບແລະສານເຄມີພິເສດຂອງມັນ. ລັກສະນະທີ່ເຂັ້ມແຂງຂອງມັນຮັບປະກັນຄວາມຕ້ານທານທີ່ເຫນືອກວ່າຕໍ່ກັບຄວາມຮ້ອນ, ການຜຸພັງແລະການກັດກ່ອນ, ເຊິ່ງເປັນປັດໃຈສໍາຄັນໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຮຸນແຮງຂອງການປຸງແຕ່ງ semiconductor. ການນໍາໃຊ້ວັດສະດຸ SiC ຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຊ່ວຍເພີ່ມອາຍຸຂອງແຜ່ນ, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຖີ່ຂອງການທົດແທນແລະດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງຫຼຸດລົງຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການບໍາລຸງຮັກສາແລະເວລາຢຸດຢູ່ໃນສະຖານທີ່ການຜະລິດ.

ແຜ່ນ SiC ICP ມີບົດບາດສໍາຄັນໃນຂະບວນການ etching ແລະ deposition ຂອງ plasma, ເຊິ່ງເປັນພື້ນຖານຂອງການສ້າງ wafers semiconductor. ໃນລະຫວ່າງຂະບວນການເຫຼົ່ານີ້, ຄວາມທົນທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງສູງຂອງແຜ່ນ SiC ICP ຮັບປະກັນການຄວບຄຸມອຸນຫະພູມທີ່ຊັດເຈນແລະການແຜ່ກະຈາຍຂອງ plasma ເປັນເອກະພາບ, ເຊິ່ງເປັນສິ່ງສໍາຄັນສໍາລັບການບັນລຸຜົນຂອງ etching ສອດຄ່ອງແລະຖືກຕ້ອງ. ຄວາມແມ່ນຍໍານີ້ແມ່ນສໍາຄັນໃນການຜະລິດຂອງອຸປະກອນ semiconductor ຂະຫນາດນ້ອຍແລະສະລັບສັບຊ້ອນທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນ, ບ່ອນທີ່ deviations ເລັກນ້ອຍສາມາດນໍາໄປສູ່ບັນຫາປະສິດທິພາບທີ່ສໍາຄັນ.

ຫນຶ່ງໃນລັກສະນະທີ່ໂດດເດັ່ນຂອງແຜ່ນ SiC ICP ແມ່ນຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກພິເສດຂອງມັນ. ຄວາມແຂງຂອງຊິລິໂຄນ carbide ປະກົດຕົວແລະຄວາມແຂງກະດ້າງສະຫນອງຄວາມສົມບູນຂອງໂຄງສ້າງທີ່ດີເລີດ, ເຖິງແມ່ນວ່າພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂທີ່ຮຸນແຮງ. ຄວາມເຂັ້ມແຂງນີ້ແປເປັນການປະຕິບັດທີ່ຫມັ້ນຄົງແລະເຊື່ອຖືໄດ້ໃນໄລຍະຂະບວນການ plasma ທີ່ມີຄວາມເຂັ້ມຂຸ້ນສູງ, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການລົ້ມເຫຼວຂອງອົງປະກອບແລະຮັບປະກັນການດໍາເນີນງານຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ, ບໍ່ມີການລົບກວນ. ຍິ່ງໄປກວ່ານັ້ນ, ລັກສະນະນ້ໍາຫນັກເບົາຂອງວັດສະດຸເມື່ອປຽບທຽບກັບໂລຫະປະສົມແບບດັ້ງເດີມປະກອບສ່ວນເຂົ້າໃນການຈັດການແລະການຕິດຕັ້ງທີ່ງ່າຍຂຶ້ນ, ເພີ່ມປະສິດທິພາບການເຮັດວຽກຕື່ມອີກ.

ນອກເຫນືອໄປຈາກຄຸນລັກສະນະທາງດ້ານຮ່າງກາຍຂອງມັນ, ແຜ່ນ SiC ICP ສະຫນອງຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີທີ່ດີເລີດ. ມັນສະແດງໃຫ້ເຫັນຄວາມຕ້ານທານທີ່ໂດດເດັ່ນຕໍ່ຊະນິດຂອງ plasma ທີ່ມີປະຕິກິລິຍາ, ເຊິ່ງພົບເລື້ອຍໃນສະພາບແວດລ້ອມການຝັງຕົວຂອງ semiconductor ແລະ deposition. ຄວາມຕ້ານທານນີ້ຮັບປະກັນວ່າແຜ່ນຮັກສາຄວາມສົມບູນແລະການປະຕິບັດໃນໄລຍະເວລາທີ່ຍາວນານ, ເຖິງແມ່ນວ່າຢູ່ໃນທີ່ປະທັບຂອງສານເຄມີທີ່ຮຸກຮານທີ່ໃຊ້ໃນຂະບວນການ plasma. ດັ່ງນັ້ນ, ແຜ່ນ SiC ICP ສະຫນອງສະພາບແວດລ້ອມການປຸງແຕ່ງທີ່ສະອາດ, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມເປັນໄປໄດ້ຂອງການປົນເປື້ອນແລະຂໍ້ບົກພ່ອງໃນ wafers semiconductor.