ເຮືອແນວຕັ້ງ SiC

Semicorex SiC Vertical Boats ແມ່ນເຮືອບັນທຸກ wafer ທີ່ຖືກວິສະວະກໍາ, ອອກແບບແລະຜະລິດເພື່ອໃຫ້ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນ, ກົນຈັກ, ແລະເຄມີສູງສຸດສໍາລັບການປຸງແຕ່ງ semiconductor furnace ຕັ້ງ. ກໍ່ສ້າງດ້ວຍຄວາມບໍລິສຸດສູງຊິລິຄອນຄາໄບ, ພວກເຮົາເຊື່ອວ່າພວກມັນເປັນຄວາມດຸ່ນດ່ຽງທີ່ດີທີ່ສຸດຂອງຄວາມເຂັ້ມແຂງ, ຄວາມທົນທານ, ແລະຄວາມສະອາດສໍາລັບການປຸງແຕ່ງຄວາມຮ້ອນ wafer ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານຫຼາຍ, ສັງເກດເຫັນວ່າເປັນການຜຸພັງ, ການແຜ່ກະຈາຍ, LPCVD, ແລະ annealing ໃນລະບົບ furnace ຕັ້ງ.

ສະພາບແວດລ້ອມການປຸງແຕ່ງ furnace ແນວຕັ້ງຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີລະບົບສະຫນັບສະຫນູນ wafer ທີ່ສາມາດຕ້ານການ exposure ຊ້ໍາຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງ, ມັກຈະເກີນ 1,200 ° C, ແລະຍັງຄົງຂະຫນາດຄົງທີ່ໂດຍບໍ່ມີບັນຫາການປົນເປື້ອນ. SiC Vertical Boats ດີເລີດໃນຄວາມແຂງແຮງຂອງພວກເຂົາໃນສະຖານະການເຫຼົ່ານີ້ເນື່ອງຈາກຄຸນສົມບັດກົນຈັກແລະຄວາມຮ້ອນພາຍໃນຂອງ recrystallized ຫຼື CVD silicon carbide. ຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ຕໍ່າທີ່ສຸດຂອງພວກເຂົາຮັບປະກັນການ warpage ຫຼືການບິດເບືອນຫນ້ອຍທີ່ສຸດເນື່ອງຈາກວົງຈອນຄວາມຮ້ອນຢ່າງໄວວາ. ນອກຈາກນັ້ນ, ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ, ສະຫນອງຄວາມສາມັກຄີຂອງອຸນຫະພູມໃນທ້ອງຖິ່ນທີ່ຍິ່ງໃຫຍ່ໃນທົ່ວ wafers ທັງຫມົດ, ເຊິ່ງເປັນສິ່ງສໍາຄັນສໍາລັບຄວາມສອດຄ່ອງຂອງ wafer-to-wafer ໃນຄວາມຫນາຂອງຊັ້ນ, doping profile, ແລະປະສິດທິພາບໄຟຟ້າ; ລັກສະນະທີ່ສໍາຄັນຂອງການຜະລິດປະລິມານສູງໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor.

ເມື່ອປຽບທຽບກັບເຮືອ quartz ແບບດັ້ງເດີມ, SiC Vertical Boats ສະຫນອງຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກດີກວ່າແລະຊີວິດການບໍລິການທີ່ຍາວນານ. Quartz ມັກຈະກາຍເປັນ brittle ແລະ devitrify ໃນໄລຍະເວລາ, ໂດຍສະເພາະໃນ furnace ເຄມີຮຸກຮານ, ນໍາໄປສູ່ການຄ່າໃຊ້ຈ່າຍທົດແທນທີ່ສູງຂຶ້ນແລະການຂັດຂວາງການຜະລິດທີ່ອາດຈະເກີດຂຶ້ນ. ໃນທາງກົງກັນຂ້າມ, ຊິລິຄອນ carbide ຮັກສາຄວາມສົມບູນຂອງມັນເຖິງແມ່ນວ່າຫຼັງຈາກການສໍາຜັດກັບອາຍແກັສທີ່ເປັນ corrosive ເຊັ່ນ chlorine, HCl, ຫຼື ammonia, ເຊິ່ງພົບເລື້ອຍໃນຂະບວນການແຜ່ກະຈາຍຕ່າງໆແລະ LPCVD. ການສວມໃສ່ພິເສດແລະການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງຂອງມັນຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍໃນການຜະລິດອະນຸພາກ, ຊ່ວຍປົກປ້ອງຫນ້າດິນຈາກການປົນເປື້ອນແລະການສ້າງຂໍ້ບົກພ່ອງ.

SiC Vertical Boats ຍັງໃຫ້ຜົນປະໂຫຍດອັນໃຫຍ່ຫຼວງໃນແງ່ຂອງການປຸງແຕ່ງທີ່ສະອາດທີ່ສຸດ. ວັດສະດຸ SiC ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງຖືກປຸງແຕ່ງພາຍໃຕ້ຄວາມພາກພຽນຢ່າງເຂັ້ມງວດເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນການຕິດຂັດຂອງໂລຫະທີ່ສາມາດລົບກວນລັກສະນະການດໍາເນີນງານຂອງອຸປະກອນ semiconductor. ພື້ນຜິວເຮືອແນວຕັ້ງ SiC ແມ່ນສໍາເລັດດ້ວຍລັກສະນະມຸມຂວາທີ່ຫຼຸດຜ່ອນໂອກາດທີ່ຈະຫຼົ່ນລົງຂອງອະນຸພາກຈຸນລະພາກ. ພື້ນຜິວ SiC ແມ່ນ inert ທາງເຄມີແລະບໍ່ປະຕິກິລິຍາກັບອາຍແກັສຂະບວນການແລະດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງມີຄວາມສ່ຽງຫນ້ອຍທີ່ຈະປົນເປື້ອນ. ໃນເລື່ອງນີ້, SiC Vertical Boats ແມ່ນເຫມາະສົມດີສໍາລັບການດໍາເນີນງານດ້ານຫນ້າຂອງເສັ້ນ (FEOL) ແລະດ້ານຫລັງຂອງສາຍ (BEOL).

SiC Vertical Boats ຍັງໃຫ້ຄວາມຍືດຫຍຸ່ນໃນການອອກແບບ. ແຕ່ລະເຮືອແນວຕັ້ງສາມາດອອກແບບສະເພາະເພື່ອຮອງຮັບເສັ້ນຜ່າສູນກາງ wafer ຫຼາຍ (150 ມມ, 200 ມມຫຼື 300 ມມ wafers) ແລະຈໍານວນສະລັອດຕິງແລະໄລຍະຫ່າງສາມາດໄດ້ຮັບການນໍາໃຊ້ເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງຂະບວນການ. ເຄື່ອງຈັກທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາແລະການຄວບຄຸມຂະຫນາດອະນຸຍາດໃຫ້ການຈັດຕໍາແຫນ່ງ wafer ທີ່ເຫມາະສົມແລະການສະຫນັບສະຫນູນ wafer ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມເປັນໄປໄດ້ຂອງຮອຍຂີດຂ່ວນຈຸນລະພາກຫຼືຮອຍແຕກຄວາມກົດດັນໃນລະຫວ່າງການໂຫຼດ, ການປຸງແຕ່ງແລະ unloading. ນອກຈາກນັ້ນ, ຖ້າຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງອຸນຫະພູມດີກວ່າແລະ / ຫຼືມະຫາຊົນຄວາມຮ້ອນຫນ້ອຍແມ່ນຕ້ອງການສໍາລັບຂະບວນການສະເພາະໃດຫນຶ່ງ, ເລຂາຄະນິດທີ່ເພີ່ມປະສິດທິພາບແລະການອອກແບບສະລັອດຕິງອາດຈະຖືກລວມເຂົ້າໃນການຕັ້ງຄ່າ SiC Vertical Boat, ໂດຍບໍ່ມີການເສຍສະລະຄຸນສົມບັດກົນຈັກໃດໆ.

ປະໂຫຍດອີກອັນຫນຶ່ງແມ່ນການບໍາລຸງຮັກສາແລະປະສິດທິພາບການດໍາເນີນງານ. ການ​ກໍ່​ສ້າງ rigid ຂອງ​SiCເຮືອແນວຕັ້ງຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນເວລາ ແລະ ຄວາມຖີ່ຂອງການທົດແທນ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ເວລາຢຸດເຮັດວຽກ ຫຼື ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການເປັນເຈົ້າຂອງໜ້ອຍລົງ. ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນຂອງ SiC ຊ່ວຍໃຫ້ວົງຈອນການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນແລະຄວາມເຢັນສັ້ນລົງເພື່ອສົ່ງຜົນຜະລິດທີ່ສູງຂຶ້ນໃນສາຍການຜະລິດ. ການບໍາລຸງຮັກສາຫຼືທໍາຄວາມສະອາດຂອງ SiC Vertical Boats ແມ່ນຍັງງ່າຍດາຍຫຼາຍ; ວັດສະດຸດັ່ງກ່າວສາມາດທົນທານຕໍ່ຂະບວນການທໍາຄວາມສະອາດປຽກຫຼືແຫ້ງແບບດັ້ງເດີມສ່ວນໃຫຍ່ທີ່ພົບເລື້ອຍໃນ semiconductor fabs ເຊັ່ນການເຮັດຄວາມສະອາດສານເຄມີດ້ວຍອາຊິດແລະການອົບດ້ວຍອຸນຫະພູມສູງ.

ໃນຍຸກທີ່ທັນສະໄຫມຂອງການຜະລິດ semiconductor ທີ່ທັນສະໄຫມທີ່ການປັບປຸງຜົນຜະລິດ, ການຄວບຄຸມການປົນເປື້ອນແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງໃນຂະບວນການມີຄວາມສໍາຄັນທັງຫມົດ, SiC Vertical Boats ສະເຫນີປະໂຫຍດທາງດ້ານເຕັກໂນໂລຢີທີ່ແທ້ຈິງ. ພວກເຂົາເຈົ້າຈັດການກັບສິ່ງທ້າທາຍທາງກາຍະພາບແລະເຄມີທີ່ດີຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ furnace ຕັ້ງແລະປະກອບສ່ວນເຂົ້າໃນການເພີ່ມປະສິດທິພາບຂອງຂະບວນການໂດຍລວມໂດຍການສະຫນອງຄວາມສົມບູນຂອງ wafer, ຜົນໄດ້ຮັບທີ່ສອດຄ່ອງແລະຊີວິດຂອງອຸປະກອນທີ່ຍາວກວ່າ.