ເຮືອບັນທຸກ SiC Wafer

ໃນພູມສັນຖານທີ່ພັດທະນາຢ່າງໄວວາຂອງການຜະລິດ semiconductor - ໂດຍສະເພາະການຜະລິດອຸປະກອນພະລັງງານ SiC ແລະ GaN ສໍາລັບ EVs, ໂຄງສ້າງພື້ນຖານ 5G, ແລະພະລັງງານທົດແທນ - ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງຮາດແວການຈັດການ wafer ຂອງທ່ານແມ່ນບໍ່ສາມາດຕໍ່ລອງໄດ້. Semicorex SiC Wafer Boat Carrier ເປັນຕົວແທນຂອງຈຸດສູງສຸດຂອງວິສະວະກໍາວັດສະດຸ, ອອກແບບມາເພື່ອທົດແທນອົງປະກອບ quartz ແລະ graphite ແບບດັ້ງເດີມໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ, ຄວາມບໍລິສຸດສູງ.

ເປັນຫຍັງ Silicon Carbide ເປັນທາງເລືອກອຸດສາຫະກໍາ

ຍ້ອນວ່າຂໍ້ຍ່ອຍຂອງ semiconductor ຫຼຸດລົງແລະຂະຫນາດ wafer ຫັນໄປສູ່ 200mm (8-inch), ຂໍ້ຈໍາກັດຄວາມຮ້ອນແລະສານເຄມີຂອງ quartz ກາຍເປັນຄໍຂວດ. ເຮືອບັນທຸກເຮືອ SiC Wafer ຂອງພວກເຮົາຖືກວິສະວະກໍາໂດຍໃຊ້Sintered Silicon Carbideຫຼື SiC ເຄືອບ CVD, ສະເຫນີການປະສົມປະສານທີ່ເປັນເອກະລັກຂອງການນໍາຄວາມຮ້ອນ, ຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກ, ແລະ inertness ເຄມີ.

1. ສະຖຽນລະພາບຄວາມຮ້ອນພິເສດ

ວັດສະດຸພື້ນເມືອງມັກຈະທົນທຸກຈາກ "slumping" ຫຼື deformation ໃນເວລາທີ່ສໍາຜັດກັບອຸນຫະພູມທີ່ຮຸນແຮງທີ່ຕ້ອງການສໍາລັບການແຜ່ກະຈາຍແລະການ annealing. ເຮືອບັນທຸກເຮືອ SiC Wafer ຂອງພວກເຮົາຮັກສາຄວາມສົມບູນຂອງໂຄງສ້າງຢູ່ທີ່ອຸນຫະພູມເກີນ 1,600 ອົງສາ C. ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນສູງນີ້ຮັບປະກັນວ່າຊ່ອງ wafer ຍັງຄົງສອດຄ່ອງຢ່າງສົມບູນ, ປ້ອງກັນບໍ່ໃຫ້ wafer "rattle" ຫຼື jamming ໃນລະຫວ່າງການໂອນຫຸ່ນຍົນອັດຕະໂນມັດ.

2. ຄວາມບໍລິສຸດສູງແລະການປົນເປື້ອນຕ່ໍາ

ໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ສະອາດ, ອະນຸພາກແມ່ນສັດຕູຂອງຜົນຜະລິດ. ເຮືອບັນທຸກເຮືອຂອງພວກເຮົາຜ່ານຂະບວນການເຄືອບ CVD (ການຖິ້ມສານເຄມີ) ທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງ. ນີ້ສ້າງພື້ນຜິວທີ່ຫນາແຫນ້ນ, ບໍ່ມີ porous ທີ່ເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນອຸປະສັກຕໍ່ຕ້ານການລະບາຍອາຍພິດ. ດ້ວຍລະດັບຄວາມເປື້ອນຂອງໂລຫະຕໍ່າສຸດ, ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການຂອງພວກເຮົາຮັບປະກັນວ່າ wafers ຂອງທ່ານ - ບໍ່ວ່າຈະເປັນ Silicon ຫຼື Silicon Carbide - ຍັງຄົງບໍ່ມີການປົນເປື້ອນໃນລະຫວ່າງວົງຈອນຄວາມຮ້ອນສູງທີ່ສໍາຄັນ.

3. ຈັບຄູ່ CTE (ສຳປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ)

ຫນຶ່ງໃນສາເຫດຕົ້ນຕໍຂອງຄວາມກົດດັນຂອງ wafer ແລະເສັ້ນເລື່ອນແມ່ນຄວາມບໍ່ກົງກັນໃນການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນລະຫວ່າງຜູ້ໃຫ້ບໍລິການແລະ wafer. ເຮືອ SiC ຂອງ​ພວກ​ເຮົາ​ໄດ້​ຖືກ​ອອກ​ແບບ​ທີ່​ມີ CTE ທີ່​ໃກ້​ຊິດ​ສອດ​ຄ່ອງ​ກັບ wafers SiC​. synchronization ນີ້ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມກົດດັນກົນຈັກໃນໄລຍະການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນຢ່າງໄວວາແລະຄວາມເຢັນ (RTP), ຢ່າງຫຼວງຫຼາຍປັບປຸງຜົນຜະລິດຕາຍໂດຍລວມ.

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະດ້ານວິຊາການທີ່ສໍາຄັນ

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກໃນການຜະລິດແບບພິເສດ

ເຮືອບັນທຸກເຮືອ SiC Wafer ຂອງພວກເຮົາຖືກປັບປຸງໃຫ້ເໝາະສົມສໍາລັບຂະບວນການ "ເຂດຮ້ອນ" ທີ່ຕ້ອງການຫຼາຍທີ່ສຸດໃນ fab:

• LPCVD & PECVD: ຄວາມຕ້ານທານສູງຕໍ່ສານສະກັດຈາກສານເຄມີປ້ອງກັນເຮືອຈາກການເຊື່ອມໂຊມ, ຮັບປະກັນຊີວິດຂອງຊຸດຂະບວນການທີ່ສອດຄ່ອງ.
• ອຸນຫະພູມສູງ Oxidation: ບໍ່ເຫມືອນກັບ quartz, SiC ບໍ່ devitrify, ຮັກສາຄວາມເຂັ້ມແຂງຂອງຕົນໃນໄລຍະພັນຂອງຮອບວຽນ.
• ການແຜ່ກະຈາຍແລະການຫົດຕົວ: ຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງຄວາມຮ້ອນທີ່ສູງຂື້ນໃນທົ່ວເຮືອຮັບປະກັນວ່າທຸກໆ wafer ໃນ batch ມີປະສົບການຄວາມຮ້ອນຄືກັນ.
• SiC Epitaxy: ອອກແບບສະເພາະເພື່ອທົນທານຕໍ່ສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຮຸນແຮງທີ່ຕ້ອງການສໍາລັບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຊັ້ນ epitaxial ເທິງຊັ້ນຍ່ອຍ SiC.

ຄວາມທົນທານຕອບສະຫນອງຄ່າໃຊ້ຈ່າຍປະສິດທິພາບ

ໃນຂະນະທີ່ການລົງທຶນເບື້ອງຕົ້ນໃນຮາດແວ SiC ແມ່ນສູງກວ່າ quartz, ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການເປັນເຈົ້າຂອງທັງຫມົດ (TCO) ແມ່ນຕ່ໍາຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ. ບັນທຸກຂອງພວກເຮົາແມ່ນສ້າງຂຶ້ນສໍາລັບອາຍຸຍືນ, ມັກຈະທົນທານຕໍ່ 5 ຫາ 10 ເວລາດົນກວ່າວັດສະດຸພື້ນເມືອງ. ນີ້ຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຖີ່ຂອງການຢຸດເຄື່ອງຂອງເຄື່ອງມືສໍາລັບການທົດແທນຊິ້ນສ່ວນແລະຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຂອງຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງເຮືອທີ່ຮ້າຍກາດທີ່ອາດຈະທໍາລາຍ wafers ລາຄາແພງທັງຫມົດ.

ໄວ້ວາງໃຈຂະບວນການຂອງທ່ານເພື່ອພິສູດວິສະວະກໍາ

ພວກເຮົາເຂົ້າໃຈວ່າໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor, "ດີພຽງພໍ" ບໍ່ເຄີຍພຽງພໍ. ຂະບວນການຜະລິດຂອງພວກເຮົາປະກອບມີ 100% ການກວດກາມິຕິ CMM ແລະການທໍາຄວາມສະອາດ ultrasonic ຄວາມບໍລິສຸດສູງກ່ອນທີ່ຈະຫຸ້ມຫໍ່ສູນຍາກາດ.

ບໍ່ວ່າທ່ານກໍາລັງຂະຫຍາຍສາຍອຸປະກອນໄຟຟ້າ 200 ມມ SiC ຫຼືເພີ່ມປະສິດທິພາບຂະບວນການ 150 ມມ, ທີມງານວິສະວະກໍາຂອງພວກເຮົາມີຢູ່ເພື່ອປັບແຕ່ງສະລັອດຕິງ, ຄວາມຍາວເຮືອ, ແລະຈັດການການຕັ້ງຄ່າເພື່ອໃຫ້ເຫມາະສົມກັບຄວາມຕ້ອງການເຕົາເຜົາສະເພາະຂອງທ່ານ.