Semicorex ສະຫນອງເຊລາມິກຊັ້ນນໍາຂອງ semiconductor ສໍາລັບເຄື່ອງມືການຜະລິດເຄິ່ງ OEM ຂອງທ່ານແລະອົງປະກອບການຈັດການ wafer ສຸມໃສ່ຊັ້ນ silicon carbide ໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor. ພວກເຮົາເປັນຜູ້ຜະລິດແລະຜູ້ສະຫນອງ Silicon Wafer Carrier ສໍາລັບເວລາຫຼາຍປີ. ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ Silicon Wafer ຂອງພວກເຮົາມີປະໂຫຍດດ້ານລາຄາທີ່ດີແລະກວມເອົາສ່ວນໃຫຍ່ຂອງຕະຫຼາດເອີຣົບແລະອາເມລິກາ. ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະກາຍມາເປັນຄູ່ຮ່ວມມືໄລຍະຍາວຂອງທ່ານໃນປະເທດຈີນ.
ຂັ້ນຕອນການຊຶມເຊື້ອຂອງເຊມິຄອນດັກເຕີໃຊ້ການປະສົມປະສານຂອງທາດອາຍຜິດຄາຣະວາທີ່ລະເຫີຍ, plasma, ແລະອຸນຫະພູມສູງເພື່ອວາງຮູບເງົາບາງໆທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງໃສ່ wafers. ຫ້ອງ Deposition ແລະເຄື່ອງມືຈັດການ wafer ຕ້ອງການອົງປະກອບເຊລາມິກທີ່ທົນທານເພື່ອຢືນຢູ່ກັບສະພາບແວດລ້ອມທີ່ທ້າທາຍເຫຼົ່ານີ້.
Semicorex Silicon Wafer Carrier ແມ່ນ silicon carbide ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ເຊິ່ງມີຄຸນສົມບັດ corrosion ສູງແລະທົນທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນເຊັ່ນດຽວກັນກັບການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ.
ຕົວກໍານົດການຂອງ Silicon Wafer Carrier
ຄຸນສົມບັດດ້ານວິຊາການ |
||||
ດັດຊະນີ |
ໜ່ວຍ |
ມູນຄ່າ |
||
ຊື່ວັດສະດຸ |
ປະຕິກິລິຍາ Sintered Silicon Carbide |
Pressureless Sintered Silicon Carbide |
Recrystallized Silicon Carbide |
|
ອົງປະກອບ |
RBSiC |
SSiC |
R-SiC |
|
ຄວາມຫນາແຫນ້ນຫຼາຍ |
g/cm3 |
3 |
3.15 ± 0.03 |
2.60-2.70 |
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Flexural |
MPa (kpsi) |
338(49) |
380(55) |
80-90 (20°C) 90-100(1400°C) |
ແຮງບີບອັດ |
MPa (kpsi) |
1120(158) |
3970(560) |
> 600 |
ຄວາມແຂງ |
ປຸ່ມ |
2700 |
2800 |
/ |
Breaking Tenacity |
MPa m1/2 |
4.5 |
4 |
/ |
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ |
W/m.k |
95 |
120 |
23 |
ຄ່າສໍາປະສິດຂອງການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ |
10-6.1/°C |
5 |
4 |
4.7 |
ຄວາມຮ້ອນສະເພາະ |
Joule/g 0k |
0.8 |
0.67 |
/ |
ອຸນຫະພູມສູງສຸດໃນອາກາດ |
℃ |
1200 |
1500 |
1600 |
ໂມດູລສຕິກ |
Gpa |
360 |
410 |
240 |
ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ SSiC ແລະ RBSiC:
1. ຂະບວນການ Sintering ແມ່ນແຕກຕ່າງກັນ. RBSiC ແມ່ນເພື່ອ infiltrate Si ຟຣີເຂົ້າໄປໃນ silicon carbide ຢູ່ໃນອຸນຫະພູມຕ່ໍາ, SSiC ສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນໂດຍການຫົດຕົວທໍາມະຊາດຢູ່ທີ່ 2100 ອົງສາ.
2. SSiC ມີພື້ນຜິວທີ່ລຽບກວ່າ, ຄວາມຫນາແຫນ້ນແລະຄວາມເຂັ້ມແຂງທີ່ສູງຂຶ້ນ, ສໍາລັບການປະທັບຕາບາງຢ່າງທີ່ມີຄວາມຕ້ອງການດ້ານຫນ້າຢ່າງເຂັ້ມງວດ, SSiC ຈະດີກວ່າ.
3. ເວລາທີ່ໃຊ້ທີ່ແຕກຕ່າງກັນພາຍໃຕ້ PH ແລະອຸນຫະພູມທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, SSiC ແມ່ນຍາວກວ່າ RBSiC
ຄຸນນະສົມບັດຂອງ Silicon Wafer Carrier
ຄວາມບໍລິສຸດສູງ SiC coated graphite
ຄວາມທົນທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນທີ່ເໜືອກວ່າ & ຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຄວາມຮ້ອນ
Fine SiC crystal coated ສໍາລັບຫນ້າກ້ຽງ
ທົນທານສູງຕໍ່ການທໍາຄວາມສະອາດສານເຄມີ
ວັດສະດຸຖືກອອກແບບເພື່ອບໍ່ໃຫ້ຮອຍແຕກ ແລະ ຮອຍແຕກ.
ມີຮູບຮ່າງຂອງຊິລິຄອນຄາໄບເຊລາມິກ:
● rod Ceramic / ceramic pin / ceramic plunger
●ທໍ່ເຊລາມິກ / bushing ceramic / ເສອແຂນເຊລາມິກ
●ແຫວນເຊລາມິກ / ເຄື່ອງຊັກຜ້າເຊລາມິກ / ເຊລາມິກ spacer
● ແຜ່ນເຊລາມິກ
●ແຜ່ນເຊລາມິກ / ຕັນເຊລາມິກ
●ບານເຊລາມິກ
● ລູກສູບເຊລາມິກ
● nozzle ເຊລາມິກ
● crucible ເຊລາມິກ
●ສ່ວນເຊລາມິກທີ່ກໍາຫນົດເອງອື່ນໆ