> ຂ່າວ

ຂ່າວ

ຂໍ້ບົກພ່ອງທີ່ຮ້າຍແຮງຂອງ GaN

ໃນຂະນະທີ່ໂລກຊອກຫາໂອກາດໃຫມ່ໃນພາກສະຫນາມ semiconductor, Gallium Nitride (GaN) ຍັງສືບຕໍ່ໂດດເດັ່ນເປັນຜູ້ສະຫມັກທີ່ມີທ່າແຮງສໍາລັບການນໍາໃຊ້ພະລັງງານແລະ RF ໃນອະນາຄົດ. ຢ່າງໃດກໍ່ຕາມ, ເຖິງວ່າຈະມີຜົນປະໂຫຍດຈໍານວນຫລາຍ, GaN ປະເຊີນກັບສິ່ງທ້າທາຍທີ່ສໍາຄັນ: ການຂາດຜະລິດຕະພັນປະເພດ P. ເປັນຫຍັງ GaN ຈື່ງຖືກຍົກຍ້ອງວ່າເປັນອຸປະ......

ອ່ານຕື່ມ

ການຂັດຜິວຂອງ Silicon Wafers

ການຂັດຜິວ Silicon wafer ແມ່ນຂະບວນການສໍາຄັນໃນການຜະລິດ semiconductor. ເປົ້າຫມາຍຕົ້ນຕໍຂອງມັນແມ່ນເພື່ອບັນລຸມາດຕະຖານທີ່ສູງທີ່ສຸດຂອງຄວາມຮາບພຽງຂອງຫນ້າດິນແລະ roughness ໂດຍການເອົາຂໍ້ບົກພ່ອງຈຸນລະພາກ, ຂັ້ນຕອນຂອງຄວາມເສຍຫາຍຄວາມກົດດັນ, ແລະການປົນເປື້ອນຈາກ impurities ເຊ......

ອ່ານຕື່ມ

ການປະຖົມນິເທດຂອງ Crystal ແລະຂໍ້ບົກພ່ອງໃນ Silicon Wafers

<...8 9 10 11 12...37 >

ຂ່າວ

ຂໍ້ບົກພ່ອງທີ່ຮ້າຍແຮງຂອງ GaN

ການຂັດຜິວຂອງ Silicon Wafers

ການປະຖົມນິເທດຂອງ Crystal ແລະຂໍ້ບົກພ່ອງໃນ Silicon Wafers

SiC Single Crystal Substrate Processing

ແນະນຳວັດສະດຸ Silicon

ເປັນຫຍັງຈິ່ງມີຄວາມຕ້ອງການດ້ານການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ SiC Ceramics ເພີ່ມຂຶ້ນໃນອຸດສາຫະກໍາ Semiconductor?